文献
J-GLOBAL ID:201802255066679414
整理番号:18A1790642
Si(110)上のボイド周辺におけるSiO2還元反応領域の特徴付け
Characterization of SiO2 reduction reaction region at void periphery on Si(110)
著者 (7件):
YANO Masahiro
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
,
UOZUMI Yuki
(Hitachi Power Solutions Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
YASUDA Satoshi
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
,
TSUKADA Chie
(Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
,
YOSHIDA Hikaru
(Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
,
YOSHIGOE Akitaka
(Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
,
ASAOKA Hidehito
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
8S1
ページ:
08NB13.1-08NB13.4
発行年:
2018年08月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)