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J-GLOBAL ID:201802255316661208   整理番号:18A0858913

マルチチップパワーモジュールにおける過渡電流分布に対する平行ダイスと並列ハーフブリッジの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Paralleling Dies and Paralleling Half-Bridges on Transient Current Distribution in Multichip Power Modules
著者 (7件):
Li Helong
(R&D Centre, Dynex Semiconductor, Ltd., Lincoln, U.K.)
Zhou Wei
(SiC Product Department, CRRC Corporation, Ltd., Zhuzhou, China)
Wang Xiongfei
(Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
Munk-Nielsen Stig
(Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
Li Daohui
(R&D Centre, Dynex Semiconductor, Ltd., Lincoln, U.K.)
Wang Yangang
(R&D Centre, Dynex Semiconductor, Ltd., Lincoln, U.K.)
Dai Xiaoping
(State Key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices, Zhuzhou, China)

資料名:
IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)

巻: 33  号:ページ: 6483-6487  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0211B  ISSN: 0885-8993  CODEN: ITPEE8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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