文献
J-GLOBAL ID:201802255316661208
整理番号:18A0858913
マルチチップパワーモジュールにおける過渡電流分布に対する平行ダイスと並列ハーフブリッジの影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of Paralleling Dies and Paralleling Half-Bridges on Transient Current Distribution in Multichip Power Modules
著者 (7件):
Li Helong
(R&D Centre, Dynex Semiconductor, Ltd., Lincoln, U.K.)
,
Zhou Wei
(SiC Product Department, CRRC Corporation, Ltd., Zhuzhou, China)
,
Wang Xiongfei
(Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
,
Munk-Nielsen Stig
(Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
,
Li Daohui
(R&D Centre, Dynex Semiconductor, Ltd., Lincoln, U.K.)
,
Wang Yangang
(R&D Centre, Dynex Semiconductor, Ltd., Lincoln, U.K.)
,
Dai Xiaoping
(State Key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices, Zhuzhou, China)
資料名:
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻:
33
号:
8
ページ:
6483-6487
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0211B
ISSN:
0885-8993
CODEN:
ITPEE8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)