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文献
J-GLOBAL ID：201802255321648580
整理番号：18A1378323
P-21:高分解能AMOLED応用のための3マスク高金属酸化物薄膜トランジスタ技術【JST・京大機械翻訳】
P-21: Three-Mask Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistor Technology for High-Resolution AMOLED Application
Li Jiapeng
(State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics and Technologies, Department of Electronic and Computer Engineering, HKUST, Hong Kong)
,
Lu Lei
(State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics and Technologies, Department of Electronic and Computer Engineering, HKUST, Hong Kong)
,
Lu Lei
(Jockey Club Institute for Advanced Study, Kowloon, Hong Kong)
,
Xia Zhihe
(State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics and Technologies, Department of Electronic and Computer Engineering, HKUST, Hong Kong)
,
Wang Sisi
(State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics and Technologies, Department of Electronic and Computer Engineering, HKUST, Hong Kong)
,
Feng Zhuoqun
(State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics and Technologies, Department of Electronic and Computer Engineering, HKUST, Hong Kong)
,
Kwok Hoi-Sing
(State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics and Technologies, Department of Electronic and Computer Engineering, HKUST, Hong Kong)
,
Kwok Hoi-Sing
(Jockey Club Institute for Advanced Study, Kowloon, Hong Kong)
,
Wong Man
(State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics and Technologies, Department of Electronic and Computer Engineering, HKUST, Hong Kong)
資料名：
Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)
(Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 49 号： 1 ページ： 1256-1259 発行年： 2018年
JST資料番号： E0907A ISSN： 0097-966X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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