文献
J-GLOBAL ID:201802255418817188
整理番号:18A0973704
スケール化InGaAsデュアルゲート超薄ボディMOSFETにおけるランダムドーパントゆらぎ変動性:ソースとドレインドーピング効果【JST・京大機械翻訳】
Random dopant fluctuation variability in scaled InGaAs dual-gate ultra-thin body MOSFETs: Source and drain doping effect
著者 (4件):
Zagni Nicolo
(Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” (DIEF), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
,
Puglisi Francesco Maria
(Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” (DIEF), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
,
Pavan Paolo
(Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” (DIEF), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
,
Verzellesi Giovanni
(Dipartimento di Metodi e Scienze dell’Ingegneria (DISMI), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IIRW
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)