文献
J-GLOBAL ID:201802255578945596
整理番号:18A1806634
高安定性駆動と低電力増幅のためのポリSi基板上の薄膜ヘテロ接合FET【JST・京大機械翻訳】
Thin-Film Heterojunction FETs on Poly-Si Substrates for High-Stability Driving and Low-Power Amplification
著者 (1件):
Hekmatshoar Bahman
(IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
10
ページ:
1528-1531
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)