文献
J-GLOBAL ID:201802255590765981
整理番号:18A0405690
強誘電リラクサポリマ強化p型WSe_2トランジスタ【Powered by NICT】
A ferroelectric relaxor polymer-enhanced p-type WSe2 transistor
著者 (15件):
Yin Chong
(State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, 38 Zhe Da Road, Hangzhou 310027, China)
,
Wang Xudong
,
Chen Yan
,
Li Dan
,
Lin Tie
,
Sun Shuo
,
Shen Hong
,
Du Piyi
,
Sun Jinglan
,
Meng Xiangjian
,
Chu Junhao
,
Wong Hon Fai
,
Leung Chi Wah
,
Wang Zongrong
,
Wang Jianlu
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
10
号:
4
ページ:
1727-1734
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)