文献
J-GLOBAL ID:201802255733579152
整理番号:18A1597027
「MOSFETにおけるソースとドレイン抵抗を別々に抽出するための高バイアス線形条件法」に関するコメント【JST・京大機械翻訳】
Comments on “Highly Biased Linear Condition Method for Separately Extracting Source and Drain Resistance in MOSFETs”
著者 (2件):
Ortiz-Conde Adelmo
(Solid State Electronics Laboratory, Universidad Simo ́n Boli ́var, Caracas, Venezuela)
,
Garcia-Sanchez Francisco J.
(Solid State Electronics Laboratory, Universidad Simo ́n Boli ́var, Caracas, Venezuela)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
9
ページ:
4019-4021
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)