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文献
J-GLOBAL ID：201802255953636825
整理番号：18A1255121
水素プラズマに基づくエッジ終端を有する高性能垂直GaN-on-GaN p-n電力ダイオード【JST・京大機械翻訳】
High Performance Vertical GaN-on-GaN p-n Power Diodes With Hydrogen-Plasma-Based Edge Termination
Fu Houqiang
(School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
,
Fu Kai
(School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
,
Huang Xuanqi
(School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
,
Chen Hong
(School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
,
Baranowski Izak
(School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
,
Yang Tsung-Han
(School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
,
Montes Jossue
(School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
,
Zhao Yuji
(School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 7 ページ： 1018-1021 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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