文献
J-GLOBAL ID:201802255998532148
整理番号:18A0076017
デバイスシミュレーションを用いたタイプII InAs/GaSb超格子中間波長赤外p-i-n光検出器の解析【Powered by NICT】
Analysis of type-II InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared p-i-n photodetector using device simulation
著者 (4件):
Le thi Yen.
(Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
,
Kamakura Yoshinari
(Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
,
Etoh Takeharu Goji
(Graduate School of Sci. and Eng., 1-1-1 Noji-higashi, Ritsumeikan University, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
,
Mori Nobuya
(Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICDV
ページ:
117-120
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)