文献
J-GLOBAL ID:201802256224177209
整理番号:18A1622440
トンネルトランジスタRF性能に及ぼすゲート酸化物欠陥の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of Gate Oxide Defects on Tunnel Transistor RF Performance
著者 (6件):
Hellenbrand M.
(Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden)
,
Memisevic E.
(Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden)
,
Svensson J.
(Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden)
,
Krishnaraja A.
(Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden)
,
Lind E.
(Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden)
,
Wernersson L.-E.
(Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Ole Romers vaeg 3, Lund, 22363, Sweden)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)