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文献
J-GLOBAL ID：201802256243529972
整理番号：18A1940160
低圧化学蒸着(LPCVD)を用いた高品質ドープ多結晶シリコン【JST・京大機械翻訳】
High-Quality Doped Polycrystalline Silicon Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)
Padhamnath Pradeep
(Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574)
,
Nandakumar Naomi
(Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574)
,
Kitz Buatis Jammaal
(Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574)
,
Balaji Nagarajan
(Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574)
,
Naval Marvic-John
(Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574)
,
Shanmugam Vinodh
(Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574)
,
Duttagupta Shubham
(Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574)
資料名：
Energy Procedia
(Energy Procedia)
巻： 150 ページ： 9-14 発行年： 2018年
JST資料番号： W3520A ISSN： 1876-6102 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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