文献
J-GLOBAL ID:201802256365147743
整理番号:18A0189772
原子的に薄い材料に基づいた高周波デバイス【Powered by NICT】
High-frequency devices based on atomically thin materials
著者 (4件):
Dragoman Mircea
(National Institute for Research and Development in Microtechnology (IMT), 077190 Bucharest-Voluntari Romania)
,
Dinescu Adrian
(National Institute for Research and Development in Microtechnology (IMT), 077190 Bucharest-Voluntari Romania)
,
Aldrigo Martino
(National Institute for Research and Development in Microtechnology (IMT), 077190 Bucharest-Voluntari Romania)
,
Dragoman Daniela
(Univ. Bucharest, 077125 Bucharest-Magurele, Romania)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IMWS-AMP
ページ:
1-3
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)