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文献
J-GLOBAL ID：201802256511215267
整理番号：18A0471786
(Ag,Cu)(In,Ga)Se_2太陽電池における透明裏面接触としての水素ドープIn_2O_3膜を用いた【Powered by NICT】
Using hydrogen-doped In2O3 films as a transparent back contact in (Ag,Cu)(In,Ga)Se2 solar cells
Keller Jan
(Ångstrom Solar Center, Division of Solid State Electronics, Uppsala University, PO Box 534, SE-75121, Uppsala, Sweden)
,
Shariati Nilsson Nina
(Ångstrom Solar Center, Division of Solid State Electronics, Uppsala University, PO Box 534, SE-75121, Uppsala, Sweden)
,
Aijaz Asim
(Ångstrom Solar Center, Division of Solid State Electronics, Uppsala University, PO Box 534, SE-75121, Uppsala, Sweden)
,
Riekehr Lars
(Ångstrom Solar Center, Division of Solid State Electronics, Uppsala University, PO Box 534, SE-75121, Uppsala, Sweden)
,
Kubart Tomas
(Ångstrom Solar Center, Division of Solid State Electronics, Uppsala University, PO Box 534, SE-75121, Uppsala, Sweden)
,
Edoff Marika
(Ångstrom Solar Center, Division of Solid State Electronics, Uppsala University, PO Box 534, SE-75121, Uppsala, Sweden)
,
Torndahl Tobias
(Ångstrom Solar Center, Division of Solid State Electronics, Uppsala University, PO Box 534, SE-75121, Uppsala, Sweden)
資料名：
Progress in Photovoltaics
(Progress in Photovoltaics)
巻： 26 号： 3 ページ： 159-170 発行年： 2018年
JST資料番号： W0463A ISSN： 1062-7995 CODEN： PPHOED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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