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文献
J-GLOBAL ID：201802256535821656
整理番号：18A1859990
パワーVDMOSトランジスタにおけるNBTIと照射関連劣化機構【JST・京大機械翻訳】
NBTI and irradiation related degradation mechanisms in power VDMOS transistors
Stojadinovic N.
(Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia)
,
Stojadinovic N.
(Serbian Academy of Sciences and Arts, 11000 Belgrade, Serbia)
,
Djoric-Veljkovic S.
(Faculty of Civil Engineering and Architecture, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia)
,
Davidovic V.
(Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia)
,
Golubovic S.
(Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia)
,
Stankovic S.
(Metrological Laboratory for Radiation Protection and Dosimetry, Institute for Nuclear Sciences, Vinca, Serbia)
,
Prijic A.
(Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia)
,
Prijic Z.
(Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia)
,
Manic I.
(Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia)
,
Dankovic D.
(Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 88-90 ページ： 135-141 発行年： 2018年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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