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文献
J-GLOBAL ID：201802256868817013
整理番号：18A1330593
溶液ベースの多重活性層を有する酸化インジウム亜鉛薄膜トランジスタのための選択的UV-O3処理
Selective UV-O3 treatment for indium zinc oxide thin film transistors with solution-based multiple active layer
KIM Yu-Jung
(National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR)
,
JEONG Jun-Kyo
(National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR)
,
PARK Jung-Hyun
(National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR)
,
JEONG Byung-Jun
(National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR)
,
LEE Hi-Deok
(National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR)
,
LEE Ga-Won
(National Univ. Chungnam, Daejeon, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 6S3 ページ： 06KB01.1-06KB01.4 発行年： 2018年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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