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文献
J-GLOBAL ID：201802257164683203
整理番号：18A1516318
高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した高性能透明Liドープインジウム-スズ-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
High-performance transparent Li-doped indium-tin-zinc-oxide thin film transistor fabricated by radio frequency magnetron sputtering method
Li Ran
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Dai Shiqian
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Ma Yaobin
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Tian Longjie
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Wang Qi
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
,
Zhou Dongzhan
(China Building Materials Academy, Beijing 100024, China)
,
Zhang Xiqing
(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 230 ページ： 132-134 発行年： 2018年
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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