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文献
J-GLOBAL ID：201802257165625185
整理番号：18A1028396
p型a-Si:H正孔接触を持つ単結晶CdTe/MgCdTeダブルヘテロ構造太陽電池の高内蔵ポテンシャルとV_OC【JST・京大機械翻訳】
High built-in potential and Voc of monocrystalline CdTe/MgCdTe double-heterostructure solar cells with p-type a-Si:H hole-contacts
Zhao Yuan
(Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
,
Boccard Mathieu
(Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
,
Becker Jacob
(Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
,
Zhao Xin-Hao
(Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
,
Campbell Calli M.
(Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
,
Suarez Ernesto
(Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
,
Lassise Maxwell B.
(Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
,
Holman Zachary
(Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
,
Zhang Yong-Hang
(Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： PVSC ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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