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文献
J-GLOBAL ID：201802257436920691
整理番号：18A0838789
超薄FDSOI MOSFETにおけるキンク効果【JST・京大機械翻訳】
Kink effect in ultrathin FDSOI MOSFETs
Park H.J.
(IMEP-LaHC, Minatec, Grenoble INP, University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble, France)
,
Bawedin M.
(IMEP-LaHC, Minatec, Grenoble INP, University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble, France)
,
Choi H.G.
(TCAD Team, DMR Group, R&D Division, SK Hynix Inc., Republic of Korea)
,
Cristoloveanu S.
(IMEP-LaHC, Minatec, Grenoble INP, University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble, France)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 143 ページ： 33-40 発行年： 2018年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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