文献
J-GLOBAL ID:201802257519811455
整理番号:18A1620736
狭いメサIGBTにおけるコレクタ誘起障壁低下効果を抑制する新しいアプローチ【JST・京大機械翻訳】
A Novel Approach to Suppress the Collector-Induced Barrier Lowering Effect in Narrow Mesa IGBTs
著者 (3件):
Luo Peng
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
,
Long Hong Yao
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
,
Narayanan E. M. S.
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
9
ページ:
1350-1353
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)