文献
J-GLOBAL ID:201802257694087195
整理番号:18A2042249
高電圧4H-SiCデバイスエッジ終端設計に及ぼす注入アルミニウムイオンの横方向ストラグリングの影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of Lateral Straggling of Implated Aluminum Ions on High Voltage 4H-SiC Device Edge Termination Design
著者 (3件):
Jiang Yi Fan
(North Carolina State University, NSF FREEDM Systems Center; NC, USA)
,
Baliga B. Jayant
(North Carolina State University, NSF FREEDM Systems Center; NC, USA)
,
Huang Alex Q.
(North Carolina State University, NSF FREEDM Systems Center; NC, USA)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
924
ページ:
361-364
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)