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J-GLOBAL ID：201802257917555372 整理番号：18A1008189

ホモエピタキシャルp型GaNにおける深準位欠陥【JST・京大機械翻訳】

Deep-level defects in homoepitaxial p-type GaN

著者 (1件)：

Nakano Yoshitaka

(Department of Electrical and Electronic Engineering, Chubu University, Kasugai, Aichi 487-8501, Japan)

資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)

巻： 36 号： 2 ページ： 023001-023001-4 発行年： 2018年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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