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文献
J-GLOBAL ID：201802257935672701
整理番号：18A2242853
B10H14+クラスタと軟X線照射によるシリコン基板中のホウ素イオンの低温活性化
Low-temperature activation of boron ion in silicon substrate using B10H14+ cluster and by soft X-ray irradiation
HEYA Akira
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
MATSUO Naoto
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
KANDA Kazuhiro
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 11 ページ： 116502.1-116502.6 発行年： 2018年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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