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文献
J-GLOBAL ID：201802258560441866
整理番号：18A1028822
超薄Cu(In,Ga)Se_2太陽電池の不動態化背面接触としてのパターン化TiO_2とAl_2O_3層の比較研究【JST・京大機械翻訳】
Comparative study of patterned TiO2 and Al2O3 layers as passivated back-contact for ultra-thin Cu(In,Ga)Se2 solar cells
Mollica F.
(EDF R&D, IRDEP, 6 quai Watier, 78400 Chatou, France)
,
Goffard J.
(Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN-CNRS), route de Nozay, 91260 Marcoussis, France)
,
Jubault M.
(EDF R&D, IRDEP, 6 quai Watier, 78400 Chatou, France)
,
Donsanti F.
(EDF R&D, IRDEP, 6 quai Watier, 78400 Chatou, France)
,
Collin S.
(Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN-CNRS), route de Nozay, 91260 Marcoussis, France)
,
Cattoni A.
(Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN-CNRS), route de Nozay, 91260 Marcoussis, France)
,
Lombez L.
(CNRS, IRDEP (UMR 7174), 6 quai Watier, 78400 Chatou, France)
,
Naghavi N.
(CNRS, IRDEP (UMR 7174), 6 quai Watier, 78400 Chatou, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： PVSC ページ： 1-5 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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