文献
J-GLOBAL ID:201802258662588720
整理番号:18A0128611
Heイオンを注入した4H及び6H-SiCのRaman分光法による研究【Powered by NICT】
Raman spectroscopic study of He ion implanted 4H and 6H-SiC
著者 (4件):
Ali A. Ashraf
(Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600 025, India)
,
Kumar J.
(Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600 025, India)
,
Ramakrishnan V.
(Indian Institute of Science Education and Research, Thiruvanthapuram, India)
,
Asokan K.
(Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110 067, India)
資料名:
Materials Letters
(Materials Letters)
巻:
213
ページ:
208-210
発行年:
2018年
JST資料番号:
E0935A
ISSN:
0167-577X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)