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文献
J-GLOBAL ID：201802258662588720
整理番号：18A0128611
Heイオンを注入した4H及び6H-SiCのRaman分光法による研究【Powered by NICT】
Raman spectroscopic study of He ion implanted 4H and 6H-SiC
Ali A. Ashraf
(Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600 025, India)
,
Kumar J.
(Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600 025, India)
,
Ramakrishnan V.
(Indian Institute of Science Education and Research, Thiruvanthapuram, India)
,
Asokan K.
(Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110 067, India)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 213 ページ： 208-210 発行年： 2018年
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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