文献
J-GLOBAL ID:201802258694736036
整理番号:18A1506500
小面積シリコン金属-酸化物-半導体トランジスタにおけるランダム電信スイッチングの消滅【JST・京大機械翻訳】
Extinction of random telegraph switching in small area silicon metal-oxide-semiconductor transistors
著者 (5件):
Hu Gangyi
(Department of Physics, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
,
Shichijo Hisashi
(Department of Electrical Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
,
Naquin Clint
(Texas Instruments, Inc., Richardson, Texas 75243, USA)
,
Edwards Hal
(Texas Instruments, Inc., Richardson, Texas 75243, USA)
,
Lee Mark
(Department of Physics, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
124
号:
6
ページ:
064504-064504-5
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)