文献
J-GLOBAL ID:201802259123752963
整理番号:18A2027654
10kV SiC MOSFETモジュールに基づく6kV Hブリッジパワーエレクトロニクスビルディングブロックの設計と試験【JST・京大機械翻訳】
Design and Testing of 6 kV H-bridge Power Electronics Building Block Based on 10 kV SiC MOSFET Module
著者 (8件):
Wang Jun
(Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA)
,
Mocevic Slavko
(Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA)
,
Hu Jiewen
(Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA)
,
Xu Yue
(Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA)
,
DiMarino Christina
(Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA)
,
Cvetkovic Igor
(Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA)
,
Burgos Rolando
(Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA)
,
Boroyevich Dushan
(Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
IPEC Niigata 2018 -ECCE Asia
ページ:
3985-3992
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)