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文献
J-GLOBAL ID：201802259131714220
整理番号：18A0930338
シリコン上のGaN HEMT用バッファ層の電気的性質に及ぼすAlN成長温度の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of AlN Growth Temperature on the Electrical Properties of Buffer Layers for GaN HEMTs on Silicon
Cordier Yvon
(Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France)
,
Comyn Remi
(Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France)
,
Frayssinet Eric
(Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France)
,
Khoury Mario
(Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France)
,
Khoury Mario
(Universite de Lille, UMR 8520 - IEMN, 59000, Lille, France)
,
Lesecq Marie
(Universite de Lille, UMR 8520 - IEMN, 59000, Lille, France)
,
Defrance Nicolas
(Universite de Lille, UMR 8520 - IEMN, 59000, Lille, France)
,
De Jaeger Jean-Claude
(Universite de Lille, UMR 8520 - IEMN, 59000, Lille, France)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215 号： 9 ページ： e1700637 発行年： 2018年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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