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文献
J-GLOBAL ID：201802259137206250
整理番号：18A1768692
MOSFET非線形ゲート-ドレインとドレイン-ソース容量を含むE級電力増幅器に対するデューティ比効果の解析と研究【JST・京大機械翻訳】
Analysis and Study of the Duty Ratio Effects on the Class-EM Power Amplifier Including MOSFET Nonlinear Gate-to-Drain and Drain-to-Source Capacitances
Hayati Mohsen
(Electrical Engineering Department, Faculty of Engineering, Razi University, Kermanshah, Iran)
,
Abbasi Hamed
(Electrical Engineering Department, Faculty of Engineering, Razi University, Kermanshah, Iran)
,
Kazimierczuk Marian K.
(Department of Electrical Engineering, Wright State University, Dayton, OH, USA)
,
Sekiya Hiroo
(Graduate School of Engineering, Chiba University, Chiba, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 33 号： 12 ページ： 10550-10562 発行年： 2018年
JST資料番号： D0211B ISSN： 0885-8993 CODEN： ITPEE8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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