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文献
J-GLOBAL ID：201802259140781373
整理番号：18A0174712
大面積加工基板上の厚いGaNエピタキシャル層の電熱評価とAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ
Electrothermal evaluation of thick GaN epitaxial layers and AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on large-area engineered substrates
ANDERSON Travis J.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
KOEHLER Andrew D.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
TADJER Marko J.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
HITE Jennifer K.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
NATH Anindya
(George Mason Univ., VA, USA)
,
MAHADIK Nadeemullah A.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
AKTAS Ozgur
(Qromis, Inc., CA, USA)
,
ODNOBLYUDOV Vladimir
(Qromis, Inc., CA, USA)
,
BASCERI Cem
(Qromis, Inc., CA, USA)
,
HOBART Karl D.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
KUB Francis J.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 10 号： 12 ページ： 126501.1-126501.3 発行年： 2017年12月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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