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文献
J-GLOBAL ID：201802259329901564
整理番号：18A2161655
4H-SiCパワーデバイスにおける応力分布を評価する方法の開発
Development of a method to evaluate the stress distribution in 4H-SiC power devices
SAKAKIMA Hiroki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAMOTO So
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MURAKAMI Yoichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HATANO Asuka
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
GORYU Akihiro
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HIROHATA Kenji
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
IZUMI Satoshi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 10 ページ： 106602.1-106602.9 発行年： 2018年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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