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文献
J-GLOBAL ID：201802259561460299
整理番号：18A0238874
B_3N_3と置換ドーピングによるグラフェンヘテロ構造のバンドギャップ工学【Powered by NICT】
Band-Gap Engineering of Graphene Heterostructures by Substitutional Doping with B3N3
Sawahata Hisaki
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, 305-8571, Japan)
,
Maruyama Mina
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, 305-8571, Japan)
,
Cuong Nguyen Thanh
(International Center for Young Scientists (ICYS), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, 305-0044, Japan)
,
Omachi Haruka
(Department of Chemistry, Nagoya University, Nagoya, 464-8602, Japan)
,
Shinohara Hisanori
(Department of Chemistry, Nagoya University, Nagoya, 464-8602, Japan)
,
Okada Susumu
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, 305-8571, Japan)
資料名：
ChemPhysChem
(ChemPhysChem)
巻： 19 号： 2 ページ： 237-242 発行年： 2018年
JST資料番号： W1265A ISSN： 1439-4235 CODEN： CPCHFT 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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