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J-GLOBAL ID:201802259578946804   整理番号:18A0969015

Mn濃度に依存するMnドープZnSnAs_2薄膜の磁気相変化【JST・京大機械翻訳】

Magnetic phase change in Mn-doped ZnSnAs2 thin films depending on Mn concentration
著者 (5件):
Uchitomi Naotaka
(Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
Hidaka Shiro
(School of Science, Osaka University, 1-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
Saito Shin
(Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
Asubar Joel T.
(Department of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui 3-9-1 Bunkyo, Fukui-shi, Fukui 910-8507, Japan)
Toyota Hideyuki
(Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 123  号: 16  ページ: 161566-161566-7  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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