文献
J-GLOBAL ID:201802259849046522
整理番号:18A0446796
誘電体信頼性とRRAM応用(招待論文)のための既存のモデルと将来の解決法の基本的限界【Powered by NICT】
Fundamental limitations of existing models and future solutions for dielectric reliability and RRAM applications (invited)
著者 (10件):
Wu E.
(Essex Junction, VT, USA)
,
Kim A.
(IBM Research Div. Yorktown Height, NY)
,
Ando T.
(IBM Research Div. Yorktown Height, NY)
,
Muralidhar R.
(IBM Research Div. Yorktown Height, NY)
,
Li B.
(IBM Research Div. Yorktown Height, NY)
,
Southwick R.
(IBM Research Div. Yorktown Height, NY)
,
Jamison P.
(IBM Research Div. Yorktown Height, NY)
,
Shaw T.
(IBM Research Div. Yorktown Height, NY)
,
Stathis J.
(IBM Research Div. Yorktown Height, NY)
,
Bonilla G.
(IBM Research Div. Yorktown Height, NY)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IEDM
ページ:
21.5.1-21.5.4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)