文献
J-GLOBAL ID:201802259936232110
整理番号:18A0401460
二重ゲート衝突イオン化MOSトランジスタ:提案と調査【Powered by NICT】
Double gate impact ionization MOS transistor: Proposal and investigation
著者 (4件):
Yang Zhaonian
(School of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, 710048, China)
,
Zhang Yue
(School of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, 710048, China)
,
Yang Yuan
(School of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, 710048, China)
,
Yu Ningmei
(School of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, 710048, China)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
102
ページ:
477-483
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)