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文献
J-GLOBAL ID：201802260191443854
整理番号：18A0385052
65nm MOSFETにおけるSiO_2/Si界面とゲート絶縁体の高フルエンス高速重イオン構造改質【Powered by NICT】
High fluence swift heavy ion structure modification of the SiO2/Si interface and gate insulator in 65nm MOSFETs
Ma Yao
(Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China)
,
Ma Yao
(Key Lab of Microelectronics Sichuan Province, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Ma Yao
(College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Gao Bo
(Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China)
,
Gao Bo
(Key Lab of Microelectronics Sichuan Province, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Gao Bo
(College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Gong Min
(Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China)
,
Gong Min
(Key Lab of Microelectronics Sichuan Province, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Gong Min
(College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Willis Maureen
(College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Yang Zhimei
(Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China)
,
Yang Zhimei
(Key Lab of Microelectronics Sichuan Province, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Guan Mingyue
(College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Li Yun
(Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China)
,
Li Yun
(Key Lab of Microelectronics Sichuan Province, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
,
Li Yun
(College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 396 ページ： 56-60 発行年： 2017年
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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