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J-GLOBAL ID：201802260240864841 整理番号：18A0195538

CMOSコンパチブル製造プロセスを用いたTaN薄膜抵抗器の開発と特性化【Powered by NICT】

Development and characterization of TaN thin film resistor with CMOS compatible fabrication process

著者 (12件)：

Kang Xiaoxu

(Process Technology Department, Shanghai IC R&D Center, Shanghai, 201210, China)

Zhu Limin

(PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)

Zhu Xingwang

(PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)

Zuo Qingyun

(Process Technology Department, Shanghai IC R&D Center, Shanghai, 201210, China)

Zhong Xiaolan

(Process Technology Department, Shanghai IC R&D Center, Shanghai, 201210, China)

Chen Shoumian

(Process Technology Department, Shanghai IC R&D Center, Shanghai, 201210, China)

Zhao Yuhang

(Process Technology Department, Shanghai IC R&D Center, Shanghai, 201210, China)

Liu Shanshan

(PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)

Lu Hanwei

(PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)

Wang Jianmin

(PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)

Wang Wei

(PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)

Zhang Bo

(PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2017 号： ASICON ページ： 160-162 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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