文献
J-GLOBAL ID:201802260426899024
整理番号:18A0442949
裏面TSVのための新しいICPプラズマエッチング【Powered by NICT】
Novel ICP Plasma Etching for Backside TSV
著者 (3件):
Sakuishi Toshiyuki
(ULVAC, Inc. Institute of Semiconductor and Electronics Technologies, 1220-1 Suyama, Susono, Shizuoka, 410-1231, Japan)
,
Murayama Takahide
(ULVAC, Inc. Institute of Semiconductor and Electronics Technologies, 1220-1 Suyama, Susono, Shizuoka, 410-1231, Japan)
,
Morikawa Yasuhiro
(ULVAC, Inc. Institute of Semiconductor and Electronics Technologies, 1220-1 Suyama, Susono, Shizuoka, 410-1231, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EPTC
ページ:
1-3
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)