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文献
J-GLOBAL ID：201802260588473339
整理番号：18A0973523
リセスアレイOhm接触技術により作製した高RF性能AlGaN/GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】
High RF Performance AlGaN/GaN HEMT Fabricated by Recess-Arrayed Ohmic Contact Technology
Lu Yang
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Ma Xiaohua
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Yang Ling
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Hou Bin
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Mi Minhan
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhang Meng
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zheng Jiaxin
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhang Hengshuang
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Hao Yue
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 6 ページ： 811-814 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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