文献
J-GLOBAL ID:201802260664270154
整理番号:18A1000622
非平衡トレンチMOS障壁Schottkyダイオードの電流電圧特性の特徴【JST・京大機械翻訳】
Features of current-voltage characteristic of nonequilibrium trench MOS barrier Schottky diode
著者 (2件):
Mamedov R.K.
(The Baku State University, Az 1148, Baku, Azerbaijan)
,
Aslanova A.R.
(The Baku State University, Az 1148, Baku, Azerbaijan)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
118
ページ:
298-307
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)