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J-GLOBAL ID：201802261056383165 整理番号：18A0118431

多結晶シリコンPL像中の転位領域の非負値行列因子分解による推定

Estimation by non-negative matrix factorization of dislocation regions in photoluminescence image of multicrystalline silicon

著者 (5件)：

工藤博章

(名古屋大)

羽山優介

(名古屋大)

松本哲也

(名古屋大)

沓掛健太朗

(名古屋大)

宇佐美徳隆

(名古屋大)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 117 号： 356(IMQ2017 20-23) ページ： 13-18 発行年： 2017年12月08日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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