文献
J-GLOBAL ID:201802261080756869
整理番号:18A0820835
深欠陥レベル工学:高熱電性能のためのキャリア濃度最適化戦略【JST・京大機械翻訳】
Deep defect level engineering: a strategy of optimizing the carrier concentration for high thermoelectric performance
著者 (13件):
Zhang Qian
(Department of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, Guangdong 518055, P. R. China. zhangqf@hit.edu.cn)
,
Song Qichen
,
Wang Xinyu
,
Sun Jingying
,
Zhu Qing
,
Dahal Keshab
,
Lin Xi
,
Cao Feng
,
Zhou Jiawei
,
Chen Shuo
,
Chen Gang
,
Mao Jun
,
Ren Zhifeng
資料名:
Energy & Environmental Science
(Energy & Environmental Science)
巻:
11
号:
4
ページ:
933-940
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2306A
ISSN:
1754-5692
CODEN:
EESNBY
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)