文献
J-GLOBAL ID:201802261273587105
整理番号:18A0911015
SiCのSchottky障壁ダイオードのコンパクトモデリングと接合障壁Schottkyダイオードへのその拡張
Compact modeling of SiC Schottky barrier diode and its extension to junction barrier Schottky diode
著者 (9件):
NAVARRO Dondee
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
HERRERA Fernando
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
ZENITANI Hiroshi
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MIURA-MATTAUSCH Mitiko
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
YORINO Naoto
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MATTAUSCH Hans Juergen
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
TAKUSAGAWA Mamoru
(Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
,
KOBAYASHI Jun
(Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
,
HARA Masafumi
(Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
4S
ページ:
04FR03.1-04FR03.6
発行年:
2018年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)