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文献
J-GLOBAL ID：201802261301537944
整理番号：18A1903940
Ta/Ru/Ta/Ru下層を用いた磁気トンネル接合における交換バイアスピン止め層のアニーリング安定性の増強【JST・京大機械翻訳】
Enhanced Annealing Stability of Exchange-Biased Pinned Layer in Magnetic Tunnel Junction Using Ta/Ru/Ta/Ru Underlayer
Okamoto K.
(Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
,
Fuji Y.
(Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
,
Higashi Y.
(Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
,
Kaji S.
(Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
,
Nagata T.
(Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
,
Baba S.
(Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
,
Yuzawa A.
(Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
,
Hara M.
(Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Magnetics
(IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 54 号： 11 ページ： ROMBUNNO.4400404.1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： A0339B ISSN： 0018-9464 CODEN： IEMGAQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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