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文献
J-GLOBAL ID：201802261787006564
整理番号：18A0714277
異なるアニーリング領域後のフェムト秒レーザ硫黄ハイパードープシリコン太陽電池の量子効率【JST・京大機械翻訳】
Quantum efficiency of femtosecond-laser sulfur hyperdoped silicon solar cells after different annealing regimes
Gimpel T.
(Energie-Forschungszentrum, Clausthal University of Technology, Am Stollen 19 A, 38640 Goslar, Germany)
,
Winter S.
(Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig, Germany)
,
Bossmeyer M.
(Fraunhofer Heinrich Hertz Institute (HHI), Am Stollen 19 H, 38640 Goslar, Germany)
,
Schade W.
(Energie-Forschungszentrum, Clausthal University of Technology, Am Stollen 19 A, 38640 Goslar, Germany)
,
Schade W.
(Fraunhofer Heinrich Hertz Institute (HHI), Am Stollen 19 H, 38640 Goslar, Germany)
資料名：
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 180 ページ： 168-172 発行年： 2018年
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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