文献
J-GLOBAL ID:201802261899556482
整理番号:18A0969814
第一原理からのCVDの初期段階におけるMOS_2層の垂直成長【JST・京大機械翻訳】
The vertical growth of MoS2 layers at the initial stage of CVD from first-principles
著者 (4件):
Xue Xiong-Xiong
(School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China)
,
Feng Yexin
(School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China)
,
Chen Keqiu
(School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China)
,
Zhang Lixin
(School of Physics, Nankai University, Tianjin 300071, China)
資料名:
Journal of Chemical Physics
(Journal of Chemical Physics)
巻:
148
号:
13
ページ:
134704-134704-6
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0275A
ISSN:
0021-9606
CODEN:
JCPSA6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)