文献
J-GLOBAL ID:201802261941203549
整理番号:18A0438765
ソース/ドレインオフセットのa-IGZO TFTの性能に及ぼす引張応力の影響【Powered by NICT】
Tensile Stress Effect on Performance of a-IGZO TFTs With Source/Drain Offsets
著者 (3件):
Hasan Mehedi
(Department of Information Display, Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, Seoul, 1South Korea)
,
Billah Mohammad Masum
(Department of Information Display, Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, Seoul, 1South Korea)
,
Jang Jin
(Department of Information Display, Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, Seoul, 1South Korea)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
2
ページ:
204-207
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)