文献
J-GLOBAL ID:201802261952649208
整理番号:18A0403809
GaAs/AlGaAs量子井戸構造におけるサブバンド間光学遷移に及ぼす薄いAlAs層挿入の影響【Powered by NICT】
Influence of thin AlAs layer insertion on intersubband optical transitions in GaAs/AlGaAs quantum- well structures
著者 (3件):
Liu Dongfeng
(School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, PR China)
,
Wang Everett X.
(School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, PR China)
,
Guo Kangxian
(Department of Physics, College of Physics and Electrical Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China)
資料名:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
(Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻:
86
ページ:
64-67
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1066A
ISSN:
1386-9477
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)