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文献
J-GLOBAL ID：201802262079976598
整理番号：18A0968785
容量結合プラズマ反応器におけるガス速度と温度分布によるa-Si:H膜の堆積速度プロファイルの均一性制御【JST・京大機械翻訳】
Uniformity control of the deposition rate profile of a-Si:H film by gas velocity and temperature distributions in a capacitively coupled plasma reactor
Kim Ho Jun
(Department of Mechanical Engineering, Dong-A University, Busan 49315, South Korea)
,
Lee Hae June
(Department of Electrical Engineering, Pusan National University, Busan 46241, South Korea)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 123 号： 11 ページ： 113302-113302-16 発行年： 2018年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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