文献
J-GLOBAL ID:201802262192687294
整理番号:18A1028633
有効シリコンエミッタ不動態化のための原子層堆積Al_2O_3中の混合アルミニウム前駆体【JST・京大機械翻訳】
Mixed aluminum precursor in the atomic layer deposited Al2O3 for effective silicon emitter passivation
著者 (4件):
Bao Yameng
(Department of Micro- and Nanosciences, Aalto University, Espoo, 02150, Finland)
,
Huang Haibing
(Department of Micro- and Nanosciences, Aalto University, Espoo, 02150, Finland)
,
Lv Jun
(China Sunergy, No.123. Focheng West Road, Jiangning Zone, Nanjing, Jiangsu, 211100, China)
,
Savin Hele
(Department of Micro- and Nanosciences, Aalto University, Espoo, 02150, Finland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
PVSC
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)