文献
J-GLOBAL ID:201802262468227642
整理番号:18A1144285
抵抗ランダムアクセスメモリにおけるランダム電信雑音:コンパクトモデリングと先進回路設計【JST・京大機械翻訳】
Random Telegraph Noise in Resistive Random Access Memories: Compact Modeling and Advanced Circuit Design
著者 (4件):
Puglisi Francesco Maria
(Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari,”, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
,
Zagni Nicolo
(Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari,”, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
,
Larcher Luca
(Dipartimento di Scienze e Metodi dell’Ingegneria, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy)
,
Pavan Paolo
(Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari,”, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
7
ページ:
2964-2972
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)